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當前位置:首頁產品中心光學儀器及設備掃描電鏡GeminiSEM系列ZEISS蔡司 掃描電鏡SEM

ZEISS蔡司 掃描電鏡SEM
產品簡介:

蔡司GeminiSEM可助您輕松實現亞納米級分辨率的成像。出色的成像和分析技術更使FE-SEM(場發射掃描電子顯微鏡)如虎添翼。我們采用創新的電子光學系統和全新樣品倉設計,不僅操作更加簡便,用途更加靈活多樣,還可為您帶來更高的圖像質量。無需水浸物鏡即可拍攝低于1 kV的亞納米級圖像。

產品型號:GeminiSEM系列

更新時間:2025-08-06

廠商性質:代理商

訪 問 量 :718

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產品介紹

技術參數:

基本參數蔡司 GeminiSEM 560蔡司 GeminiSEM 460蔡司 GeminiSEM 360
分辨率 *0.4 nm @ 30 kV (STEM)0.6 nm @ 30 kV (STEM)0.6 nm @ 30 kV (STEM)
0.4 nm @ 15 kV/ DCV**0.5 nm @ 15 kV/DCV**0.5 nm @ 15 kV/ DCV**
0.7 nm @ 1 kV TD1.0 nm @ 1 kV/500 VTD1.0 nm @ 1 kV TD
0.7 nm @ 1 kV/DCV**0.9 nm @ 1 kV/ DCV**1.0 nm @ 1 kV/DCV**
1.0 nm @ 500 v1.5 nm @ 200 v
分析分辨率2.0 nm @ 15 kv, 5 nA, WD=8.5 mm
Inlens BSE 分辨率1.0 nm @ 1 kv1.2 nm @ 1 kv1.2 nm @ 1 kv
NanoVP 模式分辨率(30 Pa)1.4 nm @ 3 kV1.4 nm @ 3 kv1.4 nm @ 3 kV
1.0 nm @ 15 kv1.0 nm @ 15 kv1.0 nm @ 15 kv
加速電壓
0.02-30 kV
探針束流3 pA - 20 nA
(100 nA 配置可選)
3 pA - 40 nA
(100 nA 或 300 nA 配置可選)
3 pA - 20 nA
(100 nA 配置可選)
高分辨率模式最大觀察視野在1kV下1.6mm,WD=7mm在5kV下5mm,WD=8.5 mm在5kV下5mm,WD=8.5 mm
概覽模式最大觀察視野在15 kV下5.6 mm, WD=8.5 mm

130 mm,最大 WD(約 50 mm)
放大倍率1-20000008-20000008-2000000
*最終安裝完成后,在1kV 和 15 kV 高真空條件下未去卷積進行系統驗收測試時獲得的分辨率
**數字分辨率(去卷積)

性能特點:

探索蔡司Gemini電子光學系統的三種設計:

  • GeminiSEM 360

盡享表面敏感成像的優勢并在低電壓或高探針電流下實現信息收集。了解Inlens探測器、NanoVP、關聯式成像查看或人工智能支持的圖像分割優勢。

√高樣品靈活性

√出色的用戶體驗

√杰出的拓展能力

 

  • GeminiSEM 460

可從低電流-低電壓工作條件無縫切換到高電流-高電壓工作條件。通過原位加熱和拉伸實驗室來拓展您的應用范圍。充分發揮其各項優勢,如共面式EDS/EBSD配置、EDS數據的無陰影面分布和快速收集4000點/秒的EBSD圖。

√兼顧高分辨率和高電流

√定制自動化工作流

√為您帶來更多可能性

 

  • GeminiSEM 560

探索表面成像新標準:Gemini 3鏡筒搭載全新的電子光學引擎Smart Autopilot,使樣品能夠在低于1 kV、分辨率低于1 nm的條件下進行無漏磁成像,且無需樣品臺偏壓或單色器,可在您的工作條件下達到理想效果。

√表面成像的新標準

√整合專業知識

√體驗出色的襯度


應用范圍:

材料科學中的應用

  • 無論是在大面積區域內還是在亞納米分辨率下,均可輕松對真實世界樣品進行成像和分析。

  • 探索來自納米科學、工程和能源材料或仿生材料、聚合物和催化劑等領域的應用實例。

  • 了解GeminiSEM如何幫助您全面表征樣品。

 

工業用顯微鏡解決方案

  • 力學、光學或電子組件的失效分析

  • 斷裂分析和金相研究

  • 表面、微觀結構和器件表征

  • 成分和相分布

  • 確定雜質和夾雜物

 

電子元件和半導體中的應用

  • 構造分析和基準分析

  • 被動電壓襯度

  • 亞表面分析

  • 探針測量電學性能

  • TEM選址

 

生命科學中的應用

  • 拓撲結構的表征

  • 對敏感、非導電、除氣或低襯度樣品進行成像

  • 細胞、組織等超微結構的高分辨率成像

  • 進行超大面積成像,如連續切片或切面成像

 


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